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        多晶硅錠
        圖片展示

        產品描述
        品牌:西京科技
        單位:西京電子科技有限公司
        規格:Polysilicon Ignot
        詳細介紹

        156×156多晶硅片技術參數

        Technical parameters of 156×156 polysilicon film

         

        類型

        Type

        晶體生長方式

        Crystal growth method

        熱交換法

        導電類型

        Conductance type

        P

        性能

        Capability

        電阻率(Ω?cm)

        Resistivity

        1.0~3.0,3.0~6.0

        氧含量(atoms/cm3

        Oxygen

        ≤1.0×1018

        碳含量(atoms/cm3

        Carbon

        ≤8.0×1017

        少子壽命(μs)

        Life time

        ≥4

        位錯密度(/cm2

        Dislocation density

        ≤3000

        外形

        Externality

        硅片外形尺寸(mm)

        Dimensions tolerance

        156×156±0.5

        硅片直徑(mm)

        Wafer diameter

        165±0.5

        硅片中心厚度(μm)

        Center thickness

        200±20

        總厚度變化-ttv(μm)

        Total thickness   variation

        ≤30

        硅片表面粗糙度(μm)

        Surface roughness

        ≤8

        硅片相鄰邊垂直度(°)

        Perpendicularity

        90±0.3

        硅片邊長極差(mm)

        Length difference

        ≤1.5

        硅片彎曲度(μm)

        Bow

        ≤40

        外觀

        Appearance

        邊緣缺陷 edge defect quantity

        深度≤0.5mm  edge defect depth≤0.5mm

        長度≤1.0mm  edge defect length≤1.0mm

        ≤2

        表面污點/斑點

        Dirt

        none

        表面穿孔/裂紋

        Hole/crack

        none

        目視翹曲

        Obvious tactility

        none


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